En el proceso de fabricación de semiconductores, el ácido fosfórico puede usarse como disolvente para el ataque químico, por ejemplo: una mezcla de ácido fosfórico y peróxido de hidrógeno puede convertir InGaAs en InP para lograr el propósito del ataque químico.
Ga2O3 Etchants
References: (2 [sec. 4.3.2], 8, 98, 99).
Ga2O3 thickness typically ~<50 Å.
1:1 – HCL : H2O — (10 sec.)
1:20 – H2SO4 : H2O — (30 sec.)
1:40 – H3PO4 : H2O — (20 sec.)
HCL : H3PO4
References: (4, 9, 10, 99).
Reaction rate limited.
InP etch rate with 1:1 ~2.5 µm/minute.
GaInP etch rate with 1:1 ~0.60 µm/minute.
H3PO4 : H2O2 : H2O
References: (13, 98, 99).
Reaction rate limited.
GaAs etch rate with 3:1:25 ~0.30 µm/minute.
InGaAs etch rate with 1:1:8 ~0.40 µm/minute.
InGaAs and InAlAs etch rates with 1:1:38 ~0.10 µm/minute.
